英特尔 QLC 3D NAND 数据存储

2021/7/12 6:35:56

本文主要是介绍英特尔 QLC 3D NAND 数据存储,对大家解决编程问题具有一定的参考价值,需要的程序猿们随着小编来一起学习吧!

英特尔 QLC 3D NAND 数据存储

NAND是什么

由于SSD固态硬盘的普及,NAND这个词逐渐进入用户们的视线。许多厂商都在产品宣传中提到3D NAND颗粒等词汇,对于普通用户来讲,完全不知道这个词是什么意思,只是有一种不明觉厉的感觉,今天我们就来了解一下什么是NAND。

要了解NAND,首先得了解一下存储颗粒的分类。最简单的分类,就是易失性存储和非易失性存储,字面意思非常直观,前者是断电后其中数据会丢失,后者是断电后仍可稳定保留数据。所以根据这样的特性,易失性存储通常用来制造内存条产品,非易失性存储通常用来制造硬盘等产品。而NAND Flash就是在这样的基础上发展出来的。

首先闪存产品的出现,对于存储行业是一种突破性的改革,将存储产品的体积大幅缩小,能耗降低,性能提高,而且对比于过去的碟片类的存储产品,运行更稳定,损坏率更低,可以说除了理想状态下的使用寿命有所不如,价格方面偏贵之外,其他方面都是后来居上的状态。

通过整合创新技术,英特尔® QLC 3D NAND 固态盘有助于降低成本,同时可提供 读取密集型工作负载所需的可靠性和低延迟性能。

英特尔 QLC 3D NAND 固态盘带来卓 越耐用性 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘依 赖对于可靠技术的多代改进,以 提供适当的耐用性。例如,作为 首代面向数据中心的英特尔 QLC NAND 产品,英特尔固态盘 D5- P4320 相比其它的 QLC NAND 固态盘,可提供高出多达 4 倍的耐用性。全新英特尔固态盘 D5- P5316 进一步增强了耐用性,相 比上一代英特尔 QLC NAND 固态 盘,将随机写入耐用性最高提升 了 5 倍。

QLC NAND 架构 四层单元(QLC)NAND 技术将密度增加到每单元 4 比特,相比 TLC NAND 可提供 多 33% 的每单元比特,因而能够将数据容量扩展到大于单层单元(SLC)、多层单元 (MLC)和 TLC NAND 技术的水平。随着密度增加,每 GB 成本会下降(见图 1)。

NAND 固态盘的密度不断增加

 

 

 图 1. PCIe 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘为每单元 4 比特,相比 TLC 固态盘可提供多 33% 的每单元比特,同时提供相当的顺序读 取性能。

固态盘和机械硬盘耐用性比较 机械硬盘耐用性主要受限于物理设计因素,例如硬盘里的大量 移动部件。部件逐渐磨损导致的故障会降低机械硬盘的性能或 使其无法使用。例如,振动或冲击会导致磁头未对准。由于耐 用性主要是一种物理限制,因此机械硬盘同样会受到读取和写 入的影响。 反之,固态盘没有移动部件,因此不存在机械磨损。对于固态 盘,耐用性会受到单元退化的影响,退化主要由写入而非读取 造成,可通过控制器固件中的各种缓解技术来减少退化。

NAND 固态盘的写入磨损程度部分取决于盘上已有数据的状态, 因为数据是按页写入、按块擦除的。顺序数据可高效写入较新固 态盘的连续可用页面。然而,当需要更新较小的数据块时(如修 改文档或数值),旧数据将读入内存、被修改、然后重新写入盘 上的新页面。包含已弃用数据的旧页面标记为无效。

当没有可用页面时,需要释放那些 “无效” 页面,以用于 “碎片整 理” 或 “磨损均衡” 的后台进程。特定块中的全部现有有效页面必 须先复制到盘上的其他可用位置,确保原始块仅包含无效的弃用 页面。然后可以删除原始块以腾出供新数据写入的空间。内部 NAND 管理进程(如磨损均衡)会导致写入放大,即固态盘上 的所有内部写入大于仅将新数据存入盘上所需的写入。由于每次 写入会造成单个 NAND 单元的细微退化,所以写入放大是磨损 的主要因素。

内置处理有助于 NAND 固态盘将磨损均匀分散到整个盘中。需 要指出的是,写入繁重的工作负载(尤其是随机写入)会导致 NAND 固态盘相比其他 IO 模式磨损更快,因为它们会导致更大 的写入放大。

QLC NAND 固态盘为现代工作负载提供卓越耐用性 对于大多数现代工作负载部署,QLC NAND 固态盘可提供富余 的耐用性,因为:

• 英特尔 QLC NAND 的实际耐用性超出了传统认知和理论限制。

• QLC NAND 固态盘具有更大的容量,能够将磨损分散到更大 的区域。

• 大多数固态盘在使用的全程,只会消耗一小部分额定的固态盘 寿命。

实际耐用性与预期耐用性 英特尔固态盘 D5-P5316 证明,QLC NAND 固态盘可以提供行 业领先的耐用性水平。此外,QLC NAND 固态盘的真实耐用性 在多个方面超出了预期。通过固态盘驱动控制器将写入均匀分布 到盘上,可以避免一些单元受到反复冲击。大容量 QLC NAND 固态盘提供了更大的 “表面积” 来分配写入,从而减少整体退化。 此外,对耐用性需求的认识与实际使用模式之间存在显著差距, 2020 年 2 月 USENIX 大会上公布的一项大规模研究对此进行了 重点说明8 。

该研究报告指出,实际应用下的耐用性要求通常远低 于企业的预期。作者表示:“基于我们的数据,我们预测并认为, 对于绝大多数企业用户来说,转向 QLC 在固态盘寿命上没有风 险,因为 99% 的系统最多使用了其硬盘 15% 的额定寿命。” 大容量 QLC NAND 的寿命耐用性等于更小容量的 TLC NAND 固态盘耐用性通常按照每日固态盘写入次数(DWPD)衡量, DWPD 可测量在保修寿命内磁盘每日可写入的数据量。写入 TB 数(TBW)或写入 PB 数(PBW)也可用于表示耐用性,该指 标可衡量在规定寿命内可写入磁盘的总数据量。磁盘的总耐用 性取决于其容量。例如,图 2 所示为一个 8TB TLC 固态盘(1DWPD,5 年保修寿命),理论上可在 5 年内每天处理 8TB 的 数据写入。但请注意,额定 DWPD 为 0.25 的 5 年保修期 32TB QLC NAND 固态盘不一定可达到理论性能,实际的总体耐用性 可能有所偏差。这是因为可写入该固态盘的数据总量与较小的 TLC 磁盘相同(32TB 容量乘以 0.25 DWPD)。

 

 

 图 2. DWPD 和容量确定写入总字节的示例。

此外,存储管理人员可以通过留出额外的硬盘空间(在上述理论 示例中为 20%)来进一步提高有效耐用性。通过增加硬盘上的 保留区域,将能够为有效的碎片整理和磨损均衡来留出更大的空 间,进而减少写入放大。 对于 NAND 固态盘耐用性,工作负载很重要 如上所述,NAND 固态盘的实际耐用性远高于机械硬盘,尽管存 在常见的误解,但它可以明显大于规定的 DWPD。

但是,面向 不同应用场景的固态盘耐用性也取决于客户的使用模式和工作负 载的性质。 如图 3 所示,机械硬盘往往具有一致但较低的耐用性,而 NAND 固态盘展现了不同的耐用性,具体取决于数据的模式和块大小。

例如,如果应用依赖于小数据块的频繁随机写入,它将比大块 数据的顺序读取更多地消耗 NAND 固态盘的寿命。这就是为什 么 QLC NAND 固态盘适用于读取繁重的工作负载,这类工作负 载也需要大容量以快速访问更多数据。 虽然针对读取性能进行了优化,QLC NAND 也适用于其他数据 使用模式。凭借支持大数据块的充足写入性能,QLC NAND 能 够支持某些细分市场的混合工作负载。 有关特定的工作负载放置示例,请参见本文的 “使用英特尔 QLC 3D NAND 固态盘支持现代工作负载” 部分。

QLC NAND 的质量和可靠性 由于 QLC NAND 技术很复杂,因此业内许多人认为必须在数据 可靠性、数据保持和硬盘整体可靠性等方面进行妥协。凭借三十 年的浮栅架构经验,英特尔打造了一款毫无妥协的解决方案。 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘满足联合电子设备工程委员会 (JEDEC)的所有要求,相当于广泛采用的 TLC NAND 固态盘。

机械硬盘和 QLC NAND NAND 固态盘的耐用性,以写入总字节表示(更高越好)

 

 

 图 3. QLC NAND 的实际耐用性,机械硬盘与英特尔固态盘 D5-P5316 相比,以写入 PB 数(PBW)表示。

表 1 显示了英特尔 QLC NAND 固态盘与 TLC NAND 固态盘的比较情况。两者具有相同的故障率、不可纠正的位错误率(UBER)、 操作振动和温度范围,以及同样的 5 年保修。 表 1. 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘和英特尔 TLC NAND 固态盘在质量、可靠性等方面的规格比较。

 

 

 将英特尔 QLC 3D NAND 固态盘与许多企业机械硬盘的质量和可靠性额定值进行比较时,差异更加明显。表 2 将英特尔固态盘 D5- P5316 与两个常用的企业机械硬盘进行了比较。其中显示英特尔 QLC 3D NAND 固态盘的 UBER 比机械硬盘高两个数量级。QLC NAND 固态盘在各种操作条件下表现出众,在振动、温度和磁性方面具有较高规格。

表 2. 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘和常用企业机械硬盘的质量和可靠性规格比较。

 

 

 除了表 2 中突出显示的优势外,NAND 固态盘相比机械硬盘还表现出较低的实际故障率。上文提到的 USENIX 研究发现,NAND 固 态盘的平均年度返盘率(ARR)介于 0.07% 和近 1.2% 之间,机械硬盘为 2-9%。通过比较这两个数据,我们可以发现 NAND 固态 盘的 ARR 相比机械硬盘低 7.5 到 28 倍8 。 在数据中心内使用英特尔 QLC 3D NAND 固态盘支持现代工作负载 借助经过读取优化的高容量英特尔 QLC 3D NAND 固态盘,您可以从更多的温数据中获得更多价值,同时降低可靠技术的总体拥有 成本(TCO)。 加速访问更多数据 QLC NAND 具有出色的顺序和随机读取性能,可帮助您高效处理海量温数据。这些特征使这种固态盘适用于现代企业应用,例如 AI 或数据分析。 这些用例依赖于快速读取性能和可预测的低延迟,以支持更快地访问数据,并通过扩展满足未来需求。

 

 

 图 4. 将工作负载与 QLC NAND 固态盘匹配时可使用的特征。 要确定 QLC NAND 固态盘是否与您的工作负载匹配,请查找以 下特征:

• 带宽:传输海量数据以支持计算的高读取带宽

• 服务质量(QoS):低延迟和高服务质量,有助于优化计算利 用率并缩短获取结果的时间

• 使用模式:读取密集型(顺序或随机)工作负载,即使面临大 数据块写入压力也能够游刃有余

• 数据块大小:范围广(读取) 图 4 显示了哪些工作负载部分与 QLC NAND 固态盘相匹配(基 于使用模式)。

英特尔 QLC NAND 的性能 英特尔固态盘 D5-P5316 包括现代固件,能够为高容量存储 提供卓越的读取性能和高度的可扩展性。这款固态盘也是行业 首个采用 PCIe 4.0 控制器的 QLC NAND 固态盘。相比英特尔 QLC 3D NAND 固态盘提供的 PCIe 接口和高效 NVM express (NVMe)协议支持的多通道 I/O 功能,基于串行 ATA(SATA) 的 QLC NAND 固态盘将在吞吐量上受到更大的限制。

因此, 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘更适合现代工作负载的大规模吞 吐量要求。 旨在提升读取性能的架构和功能改进也有利于最新一代的英特 尔 QLC 3D NAND 固态盘。与上一代相比,英特尔固态盘 D5- P5316 实现高达 38% 的随机读取性能提升及高达 2 倍的顺序 读取性能提升。13,14 该固态盘还包括智能固件,相比上一代产品 可在 99.999% 服务质量的情况下将延迟性能提升 48%。

与机械硬盘相比,QLC NAND 的性能优势更加明显。尽管具有 明显的成本/容量优势,但机械硬盘束缚了所存储数据的价值, 因为它们运行较慢,无法支持需要快速访问温数据的工作负载。 如表 3 所示,与常用的企业机械硬盘相比,最新一代的英特尔 QLC 3D NAND 固态盘可将顺序读取性能提升高达 25 倍。

表 3. 英特尔 QLC 3D NAND 固态盘与两款常用机械硬盘的读取性能比较。

 

 

 在读写原理上,机械硬盘的盘片表面被磁性材料所覆盖,磁性粒子被磁头极化以此来表示一个二进制信息单元,而闪存产品并不是采用磁性材料来存储数据,而是使用基础单元cell来存储,这种技术可以很快很紧凑的存储数据。这也是NAND Flash闪存颗粒带来的革命,它使我们的电脑响应更迅速、文件读写速度飙升,大幅缩短等待时间,SSD由此成为必不可少的硬件产品。

 

 

 非易失性ROM除了NAND之外,就是NOR,不过NOR的应用并没有NAND这么广泛,原因在于NOR读取快,但写入和擦除慢,所以通常只用来存储一些配置设定类的参数等,NAND则被应用于数据存储。

 

 

 在经历了多年的发展后,NAND闪存不止有了SLC、MLC、TLC之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺也在飞速的进步,从50nm一路到目前的16nm甚至更小,但是随着工艺的进步,NAND的氧化层也越薄,导致了可靠性下降,为了解决这一问题,许多厂商费劲脑汁,终于在觉得平面也就是2D NAND已经遇到了瓶颈之后,厂商将目光投向了3D空间,也就是将数层2D NAND叠加在一起,既保证了可靠性又增大了容量,由此3D NAND颗粒进入大家的视野。也正因为3D NAND的技术,使得部分采用相应技术的TLC产品达到了MLC的性能,就是我们常说的3D TLC。而最近美光等大厂的第四代颗粒3D QLC产品也已经投入了市场,让广大消费者体验到了更高的容量、更低的价格、更快的读写性能。

参考链接:

https://www.intel.cn/content/www/cn/zh/products/docs/storage/qlc-nand-ready-for-data-center-paper.html

https://www.crucial.cn/articles/about-ssd/what-is-a-nand-flash

 



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