【模拟电路】BJT中Ib控制Ic只是表象

2021/12/30 6:39:31

本文主要是介绍【模拟电路】BJT中Ib控制Ic只是表象,对大家解决编程问题具有一定的参考价值,需要的程序猿们随着小编来一起学习吧!

废话在前:

现在考完了研究生初试(凉透了),月复一月的高强度学习让人养成了学习的好习惯,闲不下来,于是翻开了模电书进行第n刷。
前面的问题都不大,但看到了BJT这一块,我发现我没能从模电书上获取其中ib控制ic的微观原理,书上仅仅是介绍了β是个晶体管共射放大系数,在Ie较宽范围内可以保持不变。
那么,为什么呢?

模电书如是说:

华成英(第五版)模电书,P25,26介绍了三极管的微观视角,从而揭示了晶体管共射放大系数β这一概念,当年上课,老师只是介绍了一下这个结论,接着就往下讲了。

前几次回顾模电书,我也没有发现为什么,可能是当成结论来记忆了。

可能的原因:

Ib之所以可以控制Ic,其主要原因还是取决于基区和发射极两者之间的掺杂比。

这边先贴出知乎木旦文大佬的推论:https://zhuanlan.zhihu.com/p/352885596

解释

1、可疑的背对背模型

首先,请不要把三极管简单理解成两个背对背二极管,尽管这两者间有一定的同一性,但它们的同一是有区别的同一,我们来看一下它们的区别何在:
图中的取值是乱来的,仅仅说明他俩并不等同
好的,那么我们可以看到,发射结正偏,集电极反偏,但集电极只有漏电流存在,更别论Ib控制Ic了。

那么,我们都知道,三极管内部的确有两个背靠背的PN结,为什么在分析电流的情况下不可等同看待呢?

这里就要考虑到它们的区别点:基区,背对背模型可没明确指出基区在何处。

如果你仔细读过模电书,你肯定知道基区做得很薄,且掺杂度也低,那么这么做的目的又在何处体现呢?

请好好回忆一下,集电极的电流何处而来,换句话说,集电极为什么叫做集电极?

以NPN为例:集电极中的电流,实质上是电子的反向移动,实质上便是来自发射极的,跨越两个PN结远道而来的自由电子。
来自发射极的自由电子之所以能够跨越两个PN结,归根结底还是得感谢基极的“不杀之恩”——基区做得很薄,且掺杂低,使得自由电子不会轻易地被基区的空穴复合,从而为自由电子闯入集电极、完成导通创造了前提。
而滞留于基区的自由电子,受到了集电结和外部电场的电场力的激励,到达集电极。

2、为什么Ib可控制Ic?

说在前头,晶体管共射放大系数β仅仅表征了Ib和Ic的关系,没有揭露其本质,就如同电阻计算公式U/I=R仅仅表征了他们三者的联系,并不是电阻的决定式。
β真正的决定式十分复杂,这里仅仅介绍本人的理解。

首先给出两个关键词:基区宽度、扩散长度
基区宽度很好理解,就是基区的宽度,而扩散长度是指载流子因扩散跨过耗尽层,在被复合掉之前扩散的平均距离。

制作晶体管的共识,便是要求基区宽度,必须远小于基区少子的扩散长度(试想一下,若是不这么做,那么从发射极扩散到基区的自由电子,很大概率就会被基区的空穴复合,那么自由电子就没有机会进入集电极了,就更别提放大电流了),基区掺杂浓度低于发射极,集电极掺杂浓度低于基极(一些人把三极管倒着用,这就容易导致放大倍数大大减小)

所以我们要求三极管的基区尽可能薄,好让自由电子可以顺顺利利地进入集电极。

2.1、Ib控制Ic只是假象,实际上是基区和发射区载流子浓度的不同

通过模电课本的学习,我们知道Ib的主要形成过程是基区的空穴被来自发射区的自由电子不断地复合Ic的形成是由于在基区未被复合的自由电子,受到电场力来到了集电极

那么,它们凭什么在三极管工作在放大区时,成β倍的比例?

不妨先尝试着暂时忘掉模电书上的推论,忘掉Ib可以控制Ic这个结论,从基础的电路原理来分析,这其中究竟发生了什么,这对我们跳出教条看待、独立分析问题很有帮助。

当一个BJT工作于放大状态时,由于Ube的施加,打破了原本发射结的平衡,发射区的自由电子被这股电场力拖到了基区,而基区掺杂浓度低,仅仅被复合掉了一部分,剩余的大部分则顺着电场力继续往上,跑到了集电极,形成了新的平衡。

若是我们增大Ube,由于电场力的增加,势必在单位时间内有更多的自由电子跑到基极,基极也就更快地复合掉一小部分自由电子,反映到电流层面就是Ube增加,Ib增加,Ie也增加。

但是基区和发射区的掺杂程度不同,也就是说他们的多子浓度并不相同,他们的多子浓度成比例,也就是说在统计学角度下,单位时间内被复合的自由电子(形成Ib)和未被复合掉的自由电子数目(跑去集电极形成Ic),总是呈现一定的比例关系的,这也就是为什么BJT在放大状态下,Ib和Ic成比例的原因了。

确切些,在BJT物理参数不变的情况下,是Ube的大小决定了Ib和Ic的大小,而Ib和Ic的比例(β)是由基区和发射区的掺杂比例决定(当然BJT物理结构的变化也会改变β值,但掺杂比是主要因素)。

上述仅是本人对于Ib为何可以控制Ic的理解,若有误区请各路大神指正。



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